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型号 SI4936CDY-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8
SI4936CDY-T1-E3 PDF
代理商 SI4936CDY-T1-E3
标准包装 2,500
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 325pF @ 15V
功率 - 最大 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
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